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硅-硅鍵合片

當外延層厚度大于50um,硅-硅鍵合片具有更好的成本優勢。 


對于高壓器件,例如MOSFET和IGBT來說,是可行的替代材料。


良好的TEM和SRP測試結果,確保硅-硅鍵合片的質量。       

    

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